Qeramika e karbidit të silikonit (SIC) ka veti të shkëlqyera të tilla si rezistencë e fortë e oksidimit, rezistencë e mirë e veshit, ngurtësi e lartë, stabilitet i mirë termik, forcë e lartë e temperaturës, koeficient i vogël i zgjerimit termik, përçueshmëri të lartë termike, rezistencë kimike dhe rezistencë kimike të korrozionit ., prandaj, ajo ka treguar talentet e saj në fushat e naftës, industrinë kimike, energjinë e korrozionit kimik, bërthaminë, bërthaminë, bërthaminë, bërthamën, duke u bërë në energji, duke u realizuar, duke u bërë energjia, duke u re, duke u bërë rezistenca e korrozionit. etj ., dhe i është kushtuar gjithnjë e më shumë vëmendje nga njerëzit . Për shembull, qeramika sic mund të përdoret si një shumëllojshmëri e kushinetave, topave, hundëzave, vulave, mjeteve të prerjes, blades turbine me gaz, rotors turbocharger, ekranet reflektues, dhe oxhaqet e kombinimit të raketave, ndër të tjera.}
Karakteristikat e shkëlqyera të qeramikës sic janë të lidhura ngushtë me strukturën e tyre unike . sic është një kompleks me lidhje të forta kovalente, dhe joniciteti i lidhjeve Si-C në sic është vetëm rreth 12%., prandaj, SIC ka forcë të lartë, modul të madh elastik, dhe rezistencë të shkëlqyeshme të veshjes .} SIC nuk është e sulmuar nga hc, SIC, si HC. HNO3, H2SO4 dhe HF, dhe zgjidhje alkaline si NaOH . isshtë e lehtë të oksidohet kur nxehet në ajër, por SiO2 i formuar në sipërfaqe gjatë oksidimit do të pengojë difuzionin e mëtejshëm të oksigjenit, kështu që shkalla e oksidimit nuk është e lartë Papastërtitë do të tregojnë përçueshmëri të mirë . Përveç kësaj, SIC ka përçueshmëri të shkëlqyeshme termike .
Sic ka dy forma kristal, dhe {{0} struktura kristal e -SIC është kub, dhe Si dhe C përkatësisht formojnë një grilë kub të përqendruar në fytyrë; -SIC ka më shumë se 100 politipe të tilla si 4H, 15R, dhe 6H, ndër të cilat politipi 6h përdoret në aplikimet industriale . më e zakonshme .} Ekziston një marrëdhënie e caktuar termike midis llojeve të ndryshme të sic . kur temperatura është më e ulët se 1600 gradë, sicts në formën e —SIC { Temperatura është më e lartë se 1600 shkallë, -SIC ngadalë shndërrohet në politipe të ndryshme të -SIC . 4 H -SIC është i lehtë për tu formuar në rreth 2000 shkallë; Poltipet 15R dhe 6H janë të lehta për tu formuar në një temperaturë të lartë mbi 2100 shkallë; Për 6H-siC, edhe nëse temperatura tejkalon 2200 shkallë, është shumë e qëndrueshme {{27} diferenca e energjisë së lirë midis politipeve të ndryshme në SIC është shumë e vogël . Prandaj, zgjidhja e ngurtë e papastërtive të gjurmëve gjithashtu mund të shkaktojë ndryshime në marrëdhëniet e stabilitetit termik midis politipeve.}}
